三星 高通同時(shí)被訴專利侵權(quán)

來源：尚標(biāo)知識(shí)產(chǎn)權(quán)    發(fā)布時(shí)間：2017-01-10 09:37:00　　瀏覽：2633

12月1日消息，據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理公司KAIST IP，已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月29日向美國(guó)得克薩斯州聯(lián)邦法院對(duì)三星電子美國(guó)法人及格羅方德(GlobalFoundries)、高通(Qualcomm)等3家企業(yè)提起專利侵害訴訟，要求對(duì)方支付相關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)的專利使用費(fèi)。

KAIST方面稱，以上三家企業(yè)在未經(jīng)許可的情況下擅自使用了首爾大學(xué)電氣信息工程系教授李鐘浩(Lee Jong ho)和KAIST共同擁有的半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)。

據(jù)了解，該技術(shù)就是被稱為“FinFET”的超小型晶體管，是智能手機(jī)處理器的關(guān)鍵技術(shù)。FinFET技術(shù)不僅可以提高半導(dǎo)體的集成程度，還可以在保持穩(wěn)定性能的同時(shí)降低電力功耗。

目前，該技術(shù)已經(jīng)被多家企業(yè)應(yīng)用在半導(dǎo)體產(chǎn)品中。美國(guó)英特爾公司2011年就在產(chǎn)品中使用了FinFET技術(shù)，并于2012年通過簽訂合同支付費(fèi)用的方式正式獲得了特許使用權(quán)。

據(jù)悉，三星電子和格羅方德、臺(tái)灣的TSMC(積電)也以FinFET為基礎(chǔ)制造手機(jī)半導(dǎo)體芯片，其中三星電子目前在包括“Galaxy”系列在內(nèi)的10多款手機(jī)型號(hào)上都在使用FinFET。另外，世界半導(dǎo)體巨頭高通也一直從三星電子和格羅方德那里得到相關(guān)產(chǎn)品的供應(yīng)。

“三星通過擅自盜用這項(xiàng)發(fā)明大大降低了開發(fā)時(shí)間和成本，不過李鐘浩教授發(fā)明者的地位和相關(guān)權(quán)益卻沒得到補(bǔ)償?！盞AIST方面表示，雖然FinFET開發(fā)當(dāng)時(shí)提出了協(xié)約，但三星電子并沒有接受，在2013年以后開始使用FinFET制造手機(jī)半導(dǎo)體后拒絕支付專利使用費(fèi)。三星方面人士稱，“案件正在訴訟中，因此不便單獨(dú)發(fā)表立場(chǎng)?！?

除了對(duì)三星、格羅方德和高通3家企業(yè)提起專利侵害訴訟之外，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院還計(jì)劃起訴臺(tái)灣半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電。據(jù)了解，目前專利侵權(quán)證據(jù)正在準(zhǔn)備當(dāng)中。

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